近日，由辽宁科瑞色谱技术有限公司技术团队撰写的论文《气相色谱法分析电子级四氯化硅中痕量杂质》，在行业专业期刊正式刊发。该研究针对半导体及光纤通信领域关键基础材料——电子级四氯化硅（SiCl₄） 的质量控制难题，提出了一种快速、准确的气相色谱分析方法。
四氯化硅作为芯片制造与光纤预制棒生产中的核心原料，其纯度直接影响下游产品的性能与良率。然而，该物质易水解、腐蚀性强，且要求检测的杂质包括永久性气体及多种氯硅烷副产物，常规方法难以满足 ppb级（十亿分之一） 的检测需求。
本研究采用科瑞色谱自主研发的GS2010气相色谱仪，搭载脉冲放电氩离子化检测器（PDHID），通过中心切割与反吹技术相结合的多柱联用方法，成功实现了对四氯化硅中氢气、氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、一氯氢硅、二氯硅烷、三氯氢硅等9种痕量杂质的有效分离与准确定量。实验数据表明，该方法检出限可达 10⁻⁹级别，定量重复性 RSD＜3%，兼具操作简便、分析快速、结果准确等优势，能够满足工业生产对电子级四氯化硅的快速检测要求。
此次论文的发表，不仅展示了科瑞色谱在高纯电子特气分析领域的技术积累与创新能力，也为国内半导体材料质量控制提供了一套可靠的分析技术方案。
论文全文如下：
