电子级四氯化硅（SiCl₄）作为半导体芯片制造中化学气相沉积（CVD）工艺的关键前驱体材料，其纯度直接决定二氧化硅（SiO₂）和氮化硅（Si₃N₄）薄膜的质量，进而影响器件良率与可靠性。然而，四氯化硅易水解、腐蚀性强，且需检测的杂质种类多、含量低（ppb级），传统分析方法难以满足高纯材料质量控制需求。 本研究采用辽宁科瑞色谱技术有限公司自主研发的GS2010气相色谱仪，搭载脉冲放电氩离子化检测器（PDHID），通过中心切割与反吹技术相结合的多柱联用方法，成功实现了对电子级四氯化硅中氢气、氧气+氩气、氮气、甲烷、一氧化碳、二氧化碳、一氯氢硅、二氯硅烷、三氯氢硅等9种痕量杂质的有效分离与准确定量。 实验结果表明，该方法检出限可达10⁻⁹（ppb）级别，定量重复性RSD＜3%，具有操作简便、分析快速、结果准确等优势，能够满足半导体行业对电子级四氯化硅纯度的快速检测要求，为高纯电子特气质量控制提供了可靠的技术支撑。